晶体管 IPB60R125CP MOSFET

IPB60R125CP介绍:

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 CoolMOS™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 不適用於新設計

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 25A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 70nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 208W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 16A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TO263-3-2

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

艾睿（深圳）实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作，提供最直接的货源、减少产品的流通环节，

降低运营成本。目前为 TI(德州仪器)、ST（意法半导体）、ADI（亚德诺半导体）、

INFINEON（英飞凌）、IR（国际整流器）、ON（安森美）、MPS（芯源半导体） 等等，

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晶体管用于放大器、音频放大器、射频放大器、稳压电路；在计算机电源中，主要用于开关电源。晶体管也应用于数字电路，主要功能是当成电子开关。晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。