晶体管 BUK9222-55A/C1 FET

BUK9222-55A/C1介绍:

描述 MOSFET N-CH 55V DPAK

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 表面贴装 N 沟道 55V 48A（Tc） 103W（Tc） DPAK

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 NXP USA Inc.

系列 TrenchMOS™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA

Vgs（最大值） ±15V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2210pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 103W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 20 毫欧 @ 25A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 DPAK

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

艾睿（深圳）实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作，提供最直接的货源、减少产品的流通环节，

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场效应管可应用于放大电路，由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器.

场效应管还可以用作电子开关.

场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.