晶体管 BSZ088N03M MOSFET

地区:广东 深圳
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BSZ088N03M介绍:

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),40A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2100pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),35W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TSDSON-8

封装/外壳 8-PowerTDFN

艾睿(深圳)实业有限公司介绍:


艾睿(深圳)实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,

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晶体管也应用于数字电路,主要功能是当成电子开关。数字电路包括逻辑门、随机存取内存(RAM)和微处理器。晶体管比电子管体积小很多,需要空间比电子管小很多,电器使用晶体管可以做的很小。



系列

\tOptiMOS™

类别

晶体管

产品族

-

电压

10V