晶体管 IRFP440 MOSFET

IRFP440介绍:

描述 MOSFET N-CH 500V 8.8A TO-247AC

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 18 周

详细描述 通孔 N 沟道 500V 8.8A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 63nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 150W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 5.3A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-247-3

封装/外壳 TO-247-3

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早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著 半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。