晶体管 SQD50P08-28 MOSFET

SQD50P08-28介绍:

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 汽车级，AEC-Q101，TrenchFET®

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 145nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6035pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 136W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 28 毫欧 @ 12.5A, 10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 TO-252AA

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

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常用于MOSFET的电路符号有很多种变化，最常见的设计是以一条直线代表通道，。MOSFET电路符号中，从通道往右延伸的箭号方向则可表示此元件为N型或是P型的MOSFET。