晶体管STP40NF10 MOSFET

STP40NF10介绍:

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 STMicroelectronics

系列 STripFET™ II

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 62nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2180pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 150W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 28 毫欧 @ 25A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

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过去数十年来，MOSFET的尺寸不断地变小。而MOSFET在尺寸缩小后的切换速度也会因为上面两个因素加总而变快。