晶体管 IRFB4710PBF MOSFET

IRFB4710PBF介绍:

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 75A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 170nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6160pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），200W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 14 毫欧 @ 45A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

艾睿（深圳）实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作，提供最直接的货源、减少产品的流通环节，

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由于MOSFET元件的性能逐渐提升，除了传统上应用于诸如微处理器、微控制器等数位信号处理的场合上，也有越来越多模拟信号处理的集成电路可以用MOSFET来实现。