存储器IS43R16160B-5TL DRAM

IS43R16160B-5TL介绍:

描述 IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 2（1 年）

详细描述 SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II

类别 集成电路（IC）

存储器

制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 停產

存储器类型 易失

存储器格式 DRAM

技术 SDRAM - DDR

存储容量 256Mb （16M x 16）

时钟频率 200MHz

写周期时间 - 字，页 15ns

访问时间 700ps

存储器接口 并联

电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V

工作温度 0°C ~ 70°C（TA）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）

供应商器件封装 66-TSOP II

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有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。计算机中的存储器按用途存储器可分为主存储器（内存）和辅助存储器（外存）,也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。