MOSFET 2SK2009(TE85L) 晶体管

2SK2009(TE85L)介绍:

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 100μA

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 70pF @ 3V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 200mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2欧姆 @ 50MA，2.5V

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SC-59-3

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel)

、德州仪器(TI)、飞利浦(Philips)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)

、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)

、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、

仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;

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金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。