晶体管NDH8304P MOSFET - 阵列

NDH8304P介绍:

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 停產

FET 类型 2 个 P 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 70 毫欧 @ 2.7A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 865pF @ 10V

功率 - 最大值 800mW

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SMD，鸥翼

供应商器件封装 SuperSOT™-8

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

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晶体管的发明，最早可以追溯到1929年，当时工程师利莲费尔德就已经取得一种晶体管的专利。但是，限于当时的技术水平，制造这种器件的材料达不到足够的纯度，而使这种晶体管无法制造出来。