SI4599DY-T1-GE3 晶体管 - FET

SI4599DY-T1-GE3  介绍:

描述 MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC

详细描述 N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 40V 6.8A，5.8A 3W，3.1W 表面贴装 8-SO

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 和 P 沟道

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A，5.8A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 35.5 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 640pF @ 20V

功率 - 最大值 3W，3.1W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SO

基本零件编号 SI4599

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晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。