单轴冲击传感器，双轴加速度传感器

PA-SASI 系列单轴冲击加速度传感器由西安精准测控有限责任公司自行研制，用于测量单轴冲击加速度的传感器。它采用高精度 MEMS 芯片，具有 BIMOS 信号限制电路，设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。具有高可靠性和高封装坚固性，并具有自检测（Self-Test）功能，可实现 BIT（Built-In-Test）检测。

1.2.PA-SASI 加速度传感器产品应用

可用于汽车测控、惯性导航、飞行器安全系统、地震监控、倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等系统中。

1.3.PA-SASI单轴加速度传感器工作原理

PA-SASI 系列冲击加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面 MEMS 多硅结构。多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构，并提供一个克服加速度感应力的阻力。用包含两个独立的固定板和一个与运动质块相连的中央板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结构的偏转，从而产生电压输出信号。

1.4..PA-SASI单轴加速度传感器 技术条件

技术参数加速度A x输入电压（Vdc） ＋12±5％Vdc输入电流（mA） 10mA测量范围注① ±500g刻度因数（mV/g） 4±1刻度因数全温漂移（%/℃） <-0.15满量程输出电压（V） 0～5V 内零偏电压（V） 2.5±0.1V非线性度（％FS） ≤0.5%FR启动时间（ms） ＜50ms带宽注③ 0~8000Hz（-3dB）交叉偶合 <±3%