STSTW15NK90Z晶体管分立半导体产品

市面上的希捷硬盘编号形式如下：ST <1> <2、3、4、5> <6、7> <8、9、10> “ST”代表“Seagate”，中文意思即"希捷"，这在任何一款希捷硬盘产品编号的开头都有。<1>：代表硬盘外形。“1”代表3．5英寸全高硬盘，“3”代表3.5英寸半高硬盘，“4”代表现在已被淘汰的5．25英寸硬盘。<2、3、4、5>：由3到4位数字组成，代表硬盘容量，单位为100MB。例如“1200”代表这块硬盘的容量为1200×100MB=120GB，“800”则代表容量为80GB。<6、7>：代表硬盘标志，它由主标志和副标志组成：第一个数字为主标志，在普通IDE硬盘中代表盘片数。例如“2”即代表该硬盘内采用了2张盘片。第二个数字为副标志，即硬盘的辅助标志。只有当主标志相同或无效时，副标志才有效。一般用它来表示硬盘的代数，数字越大表示代数越高，也就是说此款硬盘越新。<8、9、10>：由1到3个字母组成，代表硬盘接口类型。普通桌面硬盘的较为简单，但如果包括现在和早期的SCSI硬盘，其含义就较为复杂了，这里只介绍目前主流的桌面硬盘。“A”代表Ultra ATA，即普通IDE/EIDE接口，这是大多数桌面硬盘所采用的接口类型； “AS”代表Serial ATA150，即串行ATA 1.0硬盘接口。举个例子：从某块硬盘上标示的“ST3120022A”编号，我们就可以知道该硬盘是希捷公司生产的3.5英寸半高、采用2张硬盘盘片、总容量为120GB的Ultra ATA接口硬盘。

零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列SuperMESH™

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）900V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 150μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）256nC电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10VVgs（最大值）±30V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）6100pF电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds25VFET 功能-功率耗散（最大值）350W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）550 毫欧 @ 7.5A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-247-3封装/外壳TO-247-3