安森美 NTS4101PT1G P沟道场效应管 20V 1.37A SOT323

地区:广东 深圳
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深圳市钒科电子有限公司

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公司介绍    

深圳市钒科电子有限公司成立于2003年,总部设于深圳,香港.台湾设有分公司。钒科电子是一家代理欧美各大厂家大规模专用集成电路为主的元器件专业供应商。 钒科电子自成立以后,高度关注全球半导体产业动态对国内高新科技产业所产生的发展与影响,致力于用全球领先的电子元器件产品应用技术服务于国内高新科技企业,力求在产品供应服务上做到高集成、高品质、优价格和、优服务。 钒科电子凭介资深的技术顾问和经验丰富的产品销售团队,授权代理ATMEL、MICROCHIP、TI(BB)、NXP、ADI、 MAXIM(DALLAS)、NSC、NEC、JRC、XILINX 、ST、TOSHIBA等国内外品牌产品,我们提供的产品覆盖中央处理器、微控制 器、逻辑控制单元、存储器、运算放大器、驱动器、电源管理、外围监控电路,包括DSP、ARM、NPU、CPLD、FPGA、FLASH、PCI总线、 USB接口等,满足不同行业产品的开发、设计、生产需求。 以最优质的产品、最有竞争力的价格、最完善的服务满足客户需求是我们不懈努力的目标,公司以以此为奋斗的方向不断创新,逐步发展,以"芯"换"心",真诚地与国内外供应商、分销商、厂家携手合作,为电子行业的发展创造出更大的价值。

安森美 NTS4101PT1G P沟道场效应管 20V 1.37A SOT323 MOSFET

安森美 NTS4101PT1G P沟道场效应管 20V 1.37A SOT323 MOSFET

安森美 NTS4101PT1G P沟道场效应管 20V 1.37A SOT323 MOSFET

型号

NTS4101PT1G

封装

SOT323

批号

2018+

FET类型

P 沟道

漏源电压(Vdss)

20V

漏极电流(Id)

1.37A(Ta)

漏源导通电阻(RDS On)

120 mΩ @ 1A,4.5V

栅源电压(Vgs)

±8V

栅极电荷(Qg)

9nC @ 4.5V

耗散功率

100

配置类型

民用

工作温度范围

-55~125

安装类型

表面贴装