SH8M14 SOP-8 MOS场效应管 N+P沟道

数据列表:SH8M12

标准包装:2,500

包装:标准卷带  

零件状态:不適用於新設計

类别:分立半导体产品

产品族:晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压（Vdss）:30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A，7A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.5nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:630pF @ 10V

功率 - 最大值:2W

工作温度:150°C（TJ）

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装:8-SOP