HY27UF084G2B-TPCB 海力士原装闪存 现货供应

HY27UF084G2B-TPCB SKhynix(海力士)NAND型闪存 原厂原装

制造商：SKhynix(海力士)

产品分类：NAND闪存

系列：-

存储格式：Flash memory

存储技术：FLASH-NAND

存储容量：4Gb

存储接口：并联

电压-电源：2.7V ~ 3.6V

工作温度：0°C ~ 85°C

安装类型：贴片

封装/外壳：TSOP-48

原厂包装：托盘

零件状态：批量生产

产品用途：SKhynix（海力士）的NAND型闪存芯片主要应用于云数据中心，智能电视，视频监控，汽车电子，物联网设备，网络机顶盒，通信设备，平板电脑等消费类以及工业类电子设备，SKhynix是全球第三大存储器产品供应商。我司供应的产品包含SKhynix的DRAM,NAND闪存,eMMC，eMCP嵌入式存储等全系列存储器产品。

NAND型闪存特性

NAND闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作方式有点像硬盘(其实NAND闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性)，它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快。NAND闪存的基本存储单元是页(Page)。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“(512+16)Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND闪存绝大多数是(512+16)字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND闪存则将页容量扩大到(2048+64)字节。

NAND型闪存擦写方式

NAND闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页，容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。

NAND型闪存接口

每颗NAND闪存的I/O接口一般是8条，每条数据线每次传输(512+16)bit信息，8条就是(512+16)×8bit，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计，如SAMSUNG编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND闪存，容量1Gb，基本数据单位是(256+8)×16bit，还是512字节。寻址时，NAND闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包，每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大，一组8位地址只够寻址256个页，显然是不够的，因此通常一次地址传送需要分若干组，占用若干个时钟周期。

NAND型闪存寻址

NAND的地址信息包括列地址(页面中的起始操作地址)、块地址和相应的页面地址，传送时分别分组，至少需要三次，占用三个周期。随着容量的增大，地址信息会更多，需要占用更多的时钟周期传输，因此NAND闪存的一个重要特点就是容量越大，寻址时间越长。而且，由于传送地址周期比其他存储介质长，因此NAND闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。

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