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产品属性
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主要参数
型号:MT41K256M16HA-125 IT:E
生产商:MICRON
封装:FBGA96
包装:托盘
容量:4Gb
存储类型:易失
存储格式:DRAM
存储技术:SDRAM-DDR3L
存储接口:并联
工作电压:1.283V ~ 1.45V
安装类型:表面贴装
器件状态:批量生产
应用领域:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,
人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端,
MT41K256M16HA-125 IT:E是第三代低功耗双倍数据率同步动态存储器,MT41K256M16HA-125 IT:E DDR3L内存主要用于一些低功耗设备中,比如为了尽量提升笔记本续航,就可以选用这种低电压版DDR3L内存。
DDR3L与DDR3功耗区别
标准的DDR3内存采用1.5V工作电压,而DDR3L内存则采用的是1.35V工作电压。
比如,一根4G DDR3L 1600笔记本内存,要比DDR3节省2W功耗,如果组成双通道将会节省4W功耗,简单来说,DDR3和DDR3L内存区别主要体现功耗和性能这两个方面。
DDR3L与DDR3性能区别
DDR3L内存功耗相比DDR3标准内存低了15%,功耗的降低,自然会造成性能的下降。通过测试,DDR3L内存性能要低于DDR3内存,不过两者差距并不算大。
购买说明
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确认信息之后由我司销售代表通过公司系统生成订单,交由客户最后确认签字后生成正式订单。
价格说明
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具体售价以公司销售代表确认的价格为准。
MT41K256M16HA-125 IT
MICRON
FBGA96
4Gb
托盘
SDRAM-DDR3L
DRAM
易失
表面贴装