H5TC4G83CFR-RDC SKhynix原装DDR3 现货供应

主要参数

型号：H5TC4G83CFR-RDC

生产商：SKhynix

产品类别：第三代双倍数据率同步动态随机存储器

封装：FBGA78

包装：托盘

容量：4Gb

存储类型：易失

存储格式：DRAM

存储技术：SDRAM-DDR3L

存储接口：并联

工作电压：1.35V

安装类型：表面贴装

器件状态：批量生产

应用领域：汽车电子，台式电脑，服务器，游戏机，物联网设备，便携式电脑，智能电视，网络通信，

                人工智能，虚拟现实，增强现实，移动通信，工业控制，仪器仪表，安防监控，移动终端，

DDR3是一种计算机内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（同步动态动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品规格。

逻辑Bank数量

DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

封装（Packages）

DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。

降低功耗

DDR3内存在达到高带宽的同时，其功耗反而可以降低，其核心工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，相关数据预测DDR3将比现时DDR2节省30%的功耗，当然发热量我们也不需要担心。就带宽和功耗之间作个平衡，对比现有的DDR2-800产品，DDR3-800、1066及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X，不但内存带宽大幅提升，功耗表现也比上代更好。

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