原装现货STH210N75F6-2 STMicroelectronics分立半导体产品

零件编号 497-11251-2-ND

制造商

STMicroelectronics

制造商零件编号

STH210N75F6-2

数据列表 STH210N75F6-2;

标准包装   1,000

包装   标准卷带  

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 DeepGATE™，STripFET™ VI

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 171nC

Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10V

Vgs（最大值） ±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11800pF

Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 300W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.8 毫欧 @ 90A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 H2Pak-2

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB