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产品属性
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产品参数:
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 37.9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1.21mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 119nC @ 10V
Voltage Coupled to Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2660pF @ 100V
Voltage Coupled to Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 35W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 99 毫欧 @ 18.1A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO-220-FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
文档
其它有关文件 Part Number Guide
PCN 组件/产地 Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
PCN 设计/规格 LeadFrame Design Chg 25/May/2016
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贴片电容封装:0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2220。
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二三极管封装:LL34、LL41、SMA/DO-214AC、SMB/DO-214AA、SMC/DO-214AB、SOD-123、SOD-323、SOD-523、SMAF、SOD-123FL、DO-35、DO-41、DO-15、SOT-23
、SOT-89、TO-92、TO-126。
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