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产品属性
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数据列表 FQB,FQI4N50;
标准包装 800
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 QFET®
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10V
Vgs(最大值) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 460pF
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),70W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.7 欧姆 @ 1.7A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK(TO-263AB)
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
深圳一鑫城电子有限公司
:蔡小姐 朱先生
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分立半导体
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