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型号:MT40A256M16GE-083E:B
品牌:MICRON镁光
类型:原装现货 库存:充足
封装:TBGA96 批号:new+ROHS
价格:询查 样品:申请免费 规格书:联系客服
描述:SDRAM-DDR4-存储器-IC-4Gb-(256M-x-16)-并联-1.2GHz-96-FBGA(9x14)
DDR4相比DDR3最大的区别有三点:16bit预取机制(DDR3为8bit),同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍;更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升;工作电压降为1.2V,更节能。
DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型,容量为2GB,运行电压只有1.2V,工作频率为2133MHz,而且凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。相比之下,DDR3内存的标准频率最高仅为1600MHz,运行电压一般为1.5V,节能版也有1.35V。仅此一点,DDR4内存就可以节能最多40%。根据此前的规划,DDR4内存频率最高有可能高达4266MHz,电压则有可能降至1.1V乃至1.05V。三星表示,这条DDR4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“PseudoOpenDrain”(虚拟开漏极)技术,在读取、写入数据的时候漏电率只有DDR3内存的一半。三星称,2010年12月底已经向一家控制器制造商提供了这种DDR4内存条的样品进行测试,并计划与多家内存厂商密切合作,帮助JEDEC组织在2011年下半年完成DDR4标准规范的制定工作,预计2012年开始投入商用。
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易失
DRAM
SDRAM - DDR4
4Gb (256M x 16)
并联
1.2GHz
-
1.14V ~ 1.26V
0°C ~ 95°C(TC)
表面贴装型
96-TFBGA
96-FBGA(9x14)