代理TLP185 光耦 光电耦合器

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由于使用了S06封装,TLP184 和TLP185晶体管耦合器比前一代产品要轻薄,而且能在高温下正常工作(Ta = 110度 最大值)。

TLP184 和TLP185分别是TLP180 and TLP181的更新产品。 能轻易用这些产品代替现在的这些型号,因为这些产品的参考衰减器尺寸与现在的MFSOP6封装型号的尺寸是一样的。 而且,由于更轻薄,这些产品能将安装高度从先前的2.8毫米,降低到2.3毫米。

因为SO6封装能确保最小的间隙和爬电距离为5毫米,而不是现有型号MFSOP6封装中的4毫米。所以这些产品的最大允许操作隔离电压为 707 Vpk,EN60747-5-2中已明确规定过。 所以,TLP184 和 TLP185能更换DIP封装区域的零件(TLP781,TLP785等)。 而且,这种产品能确保内部绝缘厚度为0.4毫米,而且属于加强绝缘种类,符合国外安全标准。

因为这些产品都达到了UL、cUL、VDE及BSI等国际认证的安全标准,所以他们非常适合AC适配器、开关电源供电及FA设备等电子应用场合。

特征工作温度范围: –55至110度集电极-发射极电压 80V(最小值)隔离电流: 3750Vrms (最小值)电流转换比率: 50至 400% (at IF = 5mA, VCE = 5V, Ta = 25°C)应用开关电源FA设备(转化器、伺服系统、可编程逻辑控制器)光伏电源调节器轮廓图/内部电路图轮廓图内部电路图电路实例适用于转换器的通讯交流主要规格

加强绝缘类轻薄通用晶体管耦合器的主要规格: TLP184, TLP185项目符号单位测试

条件TLP180 / TLP181TLP184 / TLP185最小值典型值最大值最小值典型值最大值正向电压VFVIF=10mA11.151.31.11.251.4集电极暗电流ICEOμAVCE=48V-0.010.1-0.010.08集电极-发射极击穿电压V(BR)CEOVIC=0.5mA80--80--集电极--发射极击穿电压V(BR)ECOVIE=0.1mA7--7--电流传输比IC/IF%IF=5mA,

VCE=5V50-60050-400饱和CTRIC/IF(sat)%IF=1mA,

VCE=0.4V-60--60-饱和CTR, GB档产品30--30--集电极-发射极饱和电压VCE(sat)VIC=2.4mA,

IF=8mA--0.4--0.3集电极-发射极饱和电压,

GB档IC=0.2mA,

IF=1mA--0.4--0.3断开的集电极电流IC(off)μAVF=0.7V,

VCE=48V--10-110

比较产品TLP180 / TLP181TLP184 / TLP185内部结构



品牌

TOSHIBA

型号

TLP185

封装

SOP4

库存

6560

单价

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