驱动电机100V39A场效应管 SGT工艺 内阻22mΩ

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型号:HC018N10L参数:100V39A ,类型:N沟道超结MOS场效应管,内阻22毫欧, 超低结电容1000pF, 封装:贴片(TO-252)

HC018N10L是一款采用SGT工艺超结MOS管,低开启电压1.5V,低内阻,超低结电容,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强

HC018N10L可以应用于LED驱动电源,电子打火、驱动电机、工控电源等产品,超高性价比

HC018N10L是一款专门为应用于电弧打火市场设计开发的一款超结MOS管,超低开启电压 超低内阻,特别适合应用于电弧打火,其特点是打火猛、温度低、打火时间长、火花四射

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 MOS管种类和结构

     MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。

     至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。

     对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。

     MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍。

     在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。

工厂规模:

公司库存实力展示:

我们一直保持与国内领先的晶圆厂、封装厂及测试厂合作,对产品品质精益求精,力把品质关。为客户提供的不仅仅是先进的产品,还有完善的解决方案和优质的服务,相信客户会成为我们的伙伴并一起取得巨大的商业成功。本公司常年备有大量的现货库存,并接受订货服务。

 我们一直致力于建设优良的芯片设计队伍、优良的产品应用队伍、优良的销售队伍,保持产品的不断创新,力争为客户带来更大有竞争力的产品。为创造一个更绿地球而努力,为今天更为明天,惠新晨与你一起努力!

型号/规格

HC018N10L

品牌/商标

惠新晨电子

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

超大功率