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深圳市惠新晨电子有限公司专业3.6-100V宽电压输入DC转DC升压恒流、升降压恒流、降压恒流驱动芯片方案设计,输出电压可以支持升到80V 130V不等,并且效率方案也是非常的高的,均可以达到90%以上
H6701是目前市面上成本,外围元器件最少,效率最高,精度最高,性能最优越的一款DC转DC升压恒流LED电源芯片
H6701是一款高效率大功率高精度升压恒流LED驱动控制芯片。内置高精度误差放大器,固定关断时间控制电路,恒流驱动电路,采用固定关断时间的控制方式,关断时间可通过外部电容进行调节,工作频率可根据用户要求而设定。调节外置的电流采样电阻,能控制高亮度LED灯的驱动电流,使LED灯亮度达到预期恒定亮度。在EN端加PWM信号,可以进行LED灯调光。集成VDD稳压管,软启动以及过温保护电路,采用SOP8,外置MOS管,输出电流高达5A。
技术参数:
输入电压:3.6V~100V
效率高达95%
工作频率:1MHz
CS限流保护电压:250mV
FB电流采样电压:250mV
芯片供电欠压保护:3.2V
关断时间可调
智能过温保护
软启动
内置VDD稳压管
支持大电流输出,支持30W 50W 20W 等大功率
应用领域 :LED低压投光灯、低压球泡灯、低压灯管、灯丝灯电源、船舶灯电源
H6702典型应用参数:3.7V升36V 12V升80V240mA 12V升36V700mA
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深圳市惠新晨电子有限公司
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据台湾电子时报网站报道,国内出现了三大半导体代工厂商,分别是中芯国际、华虹半导体和华力微电子公司。这三家公司目前正在扩大芯片制造能力。
中国政府已经制定了发展半导体产业的宏伟目标,2016年,芯片国产率只有26.2%,到2025年,国产率将增加到七成。这意味着国内的半导体制造能力也要同步增加。
在半导体制造方面,中国大陆的公司目前处于落后。据悉,台积电、格罗方德、台联电等公司在中国大陆建设了一些工厂,目前正在建设“12英寸晶圆”芯片厂(芯片厂加工的晶圆直径为12英寸,晶圆面积越大,生产效率越高)。
据报道,由于在芯片制造技术方面暂时落后,中国大陆本土代工厂主要瞄准了汽车电子芯片等市场,这种芯片并不需要最先进的制造工艺。
台湾电子时报研究部表示,中国大陆三家芯片代工厂的产能提升,将主要取决于国内芯片市场。
在全球半导体代工市场,台湾地区的台积电是占据了半壁江山的巨无霸企业,台积电是苹果公司芯片最重要的代工厂,而且近些年在苹果订单中占到的比例越来越高,对三星电子形成了巨大压力。
在半导体的制造工艺中,作为线宽的“纳米”数成为最重要的衡量指标,线宽越小,单位面积整合的晶体管数量越多,处理性能越强大,电耗也就越低。台积电不久前宣布,将会建设全球第一家3纳米芯片制造厂,计划在2020年投产。
据悉,台积电和三星电子已经采用10纳米工艺生产芯片。
中国大陆的半导体工厂,目前已经具备多少纳米的制造工艺,尚不得而知。去年业内曾有消息称,中芯国际将会在2019年,采用14纳米工艺生产芯片。
在中国内地半导体设计公司方面,去年底行业机构公布的统计数据显示,中国内地已经拥有近1400家芯片设计公司,去年的总收入将达到300亿美元。
在一些低端智能手机中,国产机厂商开始尝试使用内地设计公司的处理器。不过主流的处理器依然来自高通和联发科。
H6701
惠新晨电子
ESOP8
95%