NTD50N03RG原装优势现货中文资料

标准包装 75

FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点 Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS） 25V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C 7.8A

Rds（最大）@ ID，VGS 12 mOhm @ 30A, 11.5V

VGS（TH）（最大）@ Id 2V @ 250μA

栅极电荷（Qg）@ VGS 15nC @ 11.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的 750pF @ 12V

功率 - 最大 1.5W

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装 D-Pak

包装材料 Tube

最大门源电压 ±20

欧盟RoHS指令 Compliant

最高工作温度 175

通道模式 Enhancement

标准包装名称 DPAK

工作温度 -55

渠道类型 N

封装 Rail

最大漏源电阻 14@10V

最大漏源电压 25

每个芯片的元件数 1

供应商封装形式 DPAK

最大功率耗散 50000

最大连续漏极电流 9.2

引脚数 3

铅形状 Gull-wing

FET特点 Logic Level Gate

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 7.8A (Ta), 45A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id 2V @ 250μA

封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商设备封装 D-Pak

开态Rds（最大）@ Id ，V GS 12 mOhm @ 30A, 11.5V

FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大 1.5W

标准包装 75

漏极至源极电压（Vdss） 25V

输入电容（Ciss ） @ VDS 750pF @ 12V

闸电荷（Qg ） @ VGS 15nC @ 11.5V

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

NTD50N03RG系列产品

型号 厂家 产品描述

NTD50N03R ON Semiconductor MOSFET 30V 68A N-Channel

NTD50N03R-001 ON Semiconductor MOSFET 25V 45A N-Channel

NTD50N03R-035 ON Semiconductor MOSFET 25V 45A N-Channel

NTD50N03R-1G ON Semiconductor MOSFET 25V 45A N-Channel

NTD50N03R-1G rochester electronics NFET DPAK 45A 25V SL

NTD50N03R-35G ON Semiconductor MOSFET 25V 45A N-Channel

NTD50N03R-35G rochester electronics NFET DPAK 45A 25V

NTD50N03RT4 ON Semiconductor MOSFET 25V 45A N-Channel

NTD50N03RT4 rochester electronics NFET DPAK 25V 45A 14R TR

NTD50N03RT4G ON Semiconductor MOSFET 25V 45A N-Channel

NTD50N03RT4G rochester electronics NFET DPAK 45A 25V TR