标准包装 1,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 200V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 6.5A
Rds（最大）@ ID，VGS 800 mOhm @ 3.9A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 4V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 29nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 700pF @ 25V
功率 - 最大 74W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
包装 3TO-220AB
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 200 V
最大连续漏极电流 6.5 A
RDS -于 800@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 12 ns
典型上升时间 27 ns
典型关闭延迟时间 28 ns
典型下降时间 24 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
最大门源电压 ±20
包装宽度 4.7(Max)
PCB 3
最大功率耗散 74000
最大漏源电压 200
欧盟RoHS指令 Not Compliant
最大漏源电阻 800@10V
每个芯片的元件数 1
工作温度 -55
供应商封装形式 TO-220AB
标准包装名称 TO-220
最高工作温度 150
包装长度 10.41(Max)
引脚数 3
包装高度 9.01(Max)
最大连续漏极电流 6.5
标签 Tab
铅形状 Through Hole
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 6.5A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 4V @ 250μA
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
其他名称 *IRF9630
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 800 mOhm @ 3.9A, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 74W
漏极至源极电压（Vdss） 200V
输入电容（Ciss ） @ VDS 700pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS 29nC @ 10V
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant
工厂包装数量 1000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 6.5 A
安装风格 Through Hole
RDS（ON） 800 mOhms
功率耗散 74 W
工作温度 - 55 C
上升时间 27 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 - 200 V
RoHS No
下降时间 24 ns
FET特点 Standard 漏极至源极电压VDSS） 200V
