2SK1062原装现货

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  • 品牌/型号:TOSHIBA/东芝/2SK1062
  • 导电方式:增强型
  • 种类:绝缘栅MOSFET
  • 材料:N-FET硅N沟道
  • 加工定制:是
  • 是否进口:是
  • 封装外形:SMDSO/表面封装
  • 型号:2SK1062
  • 品牌:TOSHIBA/东芝
  • 产品类型:其他
  • 沟道类型:N沟道
  • 用途:A/宽频带放大
'2SK1062 MOS管 N沟道 60V 200mA SOT-23 TOSHIBA型号Part No.2SK1062丝印/打字/标记/代码/印记Marking CodeKE厂家ManufacturerKE一级分类1.General categoriesTOSHIBA二级分类2.Subcategories场效应管FET**源漏极电压VdsDrain-Source VoltageMOSFET N沟道**栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage60V**漏极电流IdDrain Current20V源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance200mA开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage0.6R @50mA,10V耗散功率PdPower Dissipation2-3.5V封装Package/Case200mWDescription & ApplicationsSOT-23描述与应用TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switching Applications Interface ApplicationsFeaturesHigh Speed SwitchingApplications Analog Switching Applications Interface ApplicationsExcellent switching time: ton = 14 ns (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 100 ms (min) @ID = 50 mA Low on resistance: RDS (ON) = 0.6 ? (typ.) @ ID = 50 mA Enhancement-mode Complementary to 2SJ168东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型高速开关应用模拟开关应用接口应用特性高速开关应用模拟开关应用接口应用出色的开关时间:ton=14 ns(典型值高正向转移导纳:YFS| =100 ms(最小@ ID=50毫安低导通电阻RDS(ON=0.6Ω(典型值)@ ID=50毫安增强型互补2SJ168 
型号

2SK1062

导电方式

增强型

种类

绝缘栅MOSFET

材料

N-FET硅N沟道