2SC4988NPNTRANSISTOR (NPN)
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
简述：
本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大以及低噪声系数特性,具有较宽的动态范围，理想的电流线性；
主要应用于MATV、CATV放大和RF等通信用户设备上；
其基本性能指标等同于甚至优于国外的2SC4988、BFQ591、BFG591、BFG540、2SC3357等产品，可以互换；
封装形式：SOT-89，本体印字：BCp；
集电极-基极击穿电压：BVCBO=15V，集电极电流：IC=100mA；集电极功率：PC=2.2W,特征频率：fT=8.5GHz。
极限参数（Tamb=25℃）：
参数名称
符号
额定值
单位
集电极-基极击穿电压
BVCBO
15
V
集电极-发射极击穿电压
BVCES
9
V
发射极-基极击穿电压
BVEBO
1.5
V
集电极电流
IC
100
mA
耗散功率
PT
1000
mW
最高结温
TJ
175
℃
储存温度
Tstg
-65～+150
℃
电参数及规格（Tamb=25℃）：
参数名称
符号
测试条件
额定值
单位
最小值
典型值
最大值
集电极-基极击穿电压
BVCBO
IC=0.1mA, IE=0
15
-
-
V
集电极-发射极击穿电压
BVCES
IC=0.1mA, IB=0
9
-
-
V
发射极-基极击穿电压
BVEBO
IE=0.1mA, IC=0
1.5
-
-
V
集电极截止电流
ICBO
VCB=10V,IE=0
-
-
100
nA
直流电流放大系数
hFE
VCE=5V,IC=40mA
50
120
250
反馈电容
Cre
IC=0,VCE=5V,f=1MHz
-
1.1
1.6
PF
特征频率
fT
VCE=5V,IC=40mA, f=1GHz
6.0
8.5
-
GHz
最大单边功率增益
GUM
IC=40mA,VCE=5V,f=900MHz
7.5
10.5
-
dB
插入功率增益
∣S21∣2
IC=40mA,VCE=5V,f=1GHz
-
10
-
dB
噪声系数
NF
VCE=5V,IC=40mA,f=1GHz
-
1.3
2.5
dB
