供应FF900R12IE4全新原装现货

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FF900R12IE4数据表

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 模块

产品: IGBT Silicon Modules

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 2.05 V

在25 C的连续集电极电流: 900 A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

Pd-功率耗散: 5.1 kW

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

封装: Tray

商标: Infineon Technologies  

安装风格: Chassis Mount  

CNHTS: 8541290000  

HTS代码: 8541290095  

栅极/发射极最大电压: +/- 20 V  

MXHTS: 85412999  

产品类型: IGBT Modules  

工厂包装数量: 3  

子类别: IGBTs  

TARIC: 8541290000  

零件号别名: FF900R12IE4BOSA1 SP000614712