供应现货代理 TNY268GN Power Integrations 功率（W） 23W

零件编号 TNY268GN-ND

制造商 Power Integrations

制造商零件编号 TNY268GN

描述 IC OFFLINE SWIT OTP OCP HV 8SMD

扩展描述 Converter Offline Flyback Topology 132kHz SMD-8B

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

类别 集成电路（IC） 
PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 
制造商 Power Integrations 
系列 TinySwitch®-II 
包装 ? 管件 ? 
零件状态 不可用于新设计 
输出隔离 隔离 
内部开关 是 
电压 - 击穿 700V 
拓扑 回扫 
电压 - 电源（Vcc/Vdd） - 
占空比 65% 
频率 - 开关 132kHz 
功率（W） 23W 
故障保护 限流，开环，超温，短路 
控制特性 EN 
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ） 
封装/外壳 8-SMD（7 个接脚），鸥形翼 
供应商器件封装 SMD-8B 

安装类型 表面贴装

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1999年，美国Purdue大学在美国海军资助的MURI项目中，研制成功4.9kV的SiC功率SBD，使SBD在耐压方面取得了根本性的突破。
SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗，关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，这是相矛盾的。因此，对势垒金属必须折衷考虑，故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说，Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏电流，而后者的正向压降较小。为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD，采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势垒双金属沟槽（DMT）结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD，反向特性与Ni肖特基整流器相当，在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H－SiCSBD，击穿电压达550V。