现货代理 TNY265PPower Integrations 功率（W） 11W 故障保护 限流，开环，超温，短路

零件编号 TNY265P-ND

制造商 Power Integrations

制造商零件编号 TNY265P

描述 IC OFFLINE SWIT OTP OCP HV 8DIP

扩展描述 Converter Offline Flyback Topology 132kHz DIP-8B

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

类别 集成电路（IC） 
PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 
制造商 Power Integrations 
系列 TinySwitch®-II 
包装 ? 管件 ? 
零件状态 过期 
输出隔离 隔离 
内部开关 是 
电压 - 击穿 700V 
拓扑 回扫 
电压 - 电源（Vcc/Vdd） - 
占空比 65% 
频率 - 开关 132kHz 
功率（W） 11W 
故障保护 限流，开环，超温，短路 
控制特性 EN 
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ） 
封装/外壳 8-DIP（0.300"，7.62mm），7 引线 
供应商器件封装 DIP-8B 

安装类型 通孔

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肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。