晶体管 MTD5P06V FET

MTD5P06V介绍：

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 停產

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 10V

Vgs（最大值） ±15V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），40W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 450 毫欧 @ 2.5A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 DPAK

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philips)、

海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

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对于低噪声晶体管，在置换时应当用噪声系数较小或相等的晶体管。

对于具有自动增益控制性能的晶体管，在置换时应当用自动增益控制特性相同的晶体管。

对于开关管，在置换时还要考虑其开关参数。