晶体管 MCH6613-TL-E MOSFET

MCH6613-TL-E介绍：

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 最後搶購

FET 类型 N 和 P 沟道

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA，200mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.7 欧姆 @ 80mA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 1.58nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 10V

功率 - 最大值 800mW

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 6-SMD，扁平引线

供应商器件封装 6-MCPH

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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源极在MOSFET里的意思是“提供多数载流子的来源”。对NMOS而言，多数载流子是电子；对PMOS而言，多数载流子是空穴。相对的，漏极就是接受多数载流子的端点。