晶体管 MCH6613-TL-E MOSFET

地区:广东 深圳
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MCH6613-TL-E介绍:

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 最後搶購

FET 类型 N 和 P 沟道

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 350mA,200mA

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.7 欧姆 @ 80mA,4V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.58nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7pF @ 10V

功率 - 最大值 800mW

工作温度 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装 6-MCPH

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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源极在MOSFET里的意思是“提供多数载流子的来源”。对NMOS而言,多数载流子是电子;对PMOS而言,多数载流子是空穴。相对的,漏极就是接受多数载流子的端点。



系列

-

类别

晶体管

产品族

-

电压

\t30V