晶体管 SSM6N15AFU MOSFET

SSM6N15AFU介绍：

描述 MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 18 周

详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 300mW Surface Mount US6

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 2 个 N 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.6 欧姆 @ 10mA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） -

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13.5pF @ 3V

功率 - 最大值 300mW

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装 US6

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基极和源极接在一起，故分布式MOSFET通常为三端元件。而在集成电路中的MOSFET通常因为使用同一个基极（common bulk），所以不标示出基极的极性，而在PMOS的栅极端多加一个圆圈以示区别。