晶体管 SSM6N15AFU MOSFET

地区:广东 深圳
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SSM6N15AFU介绍:

描述 MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 18 周

详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 300mW Surface Mount US6

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

系列 -

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 2 个 N 沟道(双)

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.6 欧姆 @ 10mA,4V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) -

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13.5pF @ 3V

功率 - 最大值 300mW

工作温度 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装 US6

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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在一般分布式MOSFET元件(discrete device)中,通常把基极和源极接在一起,故分布式MOSFET通常为三端元件。而在集成电路中的MOSFET通常因为使用同一个基极(common bulk),所以不标示出基极的极性,而在PMOS的栅极端多加一个圆圈以示区别。



系列

-

类别

晶体管

产品族

-

电压

30V