晶体管SI1917EDH-T1-E3 MOSFET

SI1917EDH-T1-E3介绍：

描述 MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1A 570mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 停產

FET 类型 2 个 P 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 370 毫欧 @ 1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 100μA（最小）

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -

功率 - 最大值 570mW

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装 SC-70-6（SOT-363）

基本零件编号 SI1917

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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因此在一定范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。 由于这种结构在VGS=0时，ID=0，称这种MOSFET为增强型。另一类MOSFET，在VGS=0时也有一定的ID（称为IDSS），这种MOSFET称为耗尽型。