晶体管 US6M2GTR FET-半导体产品

US6M2GTR介绍：

描述 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 10 周

详细描述 Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Rohm Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 和 P 沟道

FET 功能 标准

漏源电压（Vdss） 30V，20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.5A，1A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 240 毫欧 @ 1.5A, 4.5V, 390 毫欧 @ 1A, 4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 80pF @ 10V, 150pF @ 10V

功率 - 最大值 1W

工作温度 150°C

安装类型 表面贴装

封装/外壳 6-SMD，扁平引线

供应商器件封装 TUMT6

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;

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根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。