晶体管 IPB65R420CFD FET

IPB65R420CFD介绍：

描述 MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 表面贴装 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） D2PAK（TO-263AB）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 CoolMOS™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 最後搶購

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 340μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 83.3W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 420 毫欧 @ 3.4A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK（TO-263AB）

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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PDSM - 最大耗散功率，也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.