晶体管 FDV301N MOSFET - 单

FDV301N介绍：

描述 MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 220mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 220mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.06V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 0.7nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9.5pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 350mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4 欧姆 @ 400mA，4.5V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-23

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面，其次是阻抗匹配、信号转换等，晶体管在电路中是个很重要的元件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。