MOSFET单 IRF6713STRPBF 晶体管

IRF6713STRPBF介绍；

描述 MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET-SQ

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 22A（Ta），95A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET™ SQ

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 停產

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22A（Ta），95A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2880pF @ 13V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.2W（Ta），42W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 22A，10V

工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 DIRECTFET™ SQ

封装/外壳 DirectFET™ 等容 SQ

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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材料按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。工艺晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。电流容量晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。