MOSFET-单 ZVN1409ASTOA 晶体管-FET

ZVN1409ASTOA 介绍；

描述 MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 通孔 N 沟道 90V 10mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Diodes Incorporated

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 停產

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 90V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 100μA

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6.5pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 625mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 250 欧姆 @ 5mA，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 E-Line（TO-92 兼容）

封装/外壳 E-Line-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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2007年1月29日：英特尔公布采用突破性的晶体管材料即高-k栅介质和金属栅极。英特尔将采用这些材料在公司下一代处理器——英特尔酷睿2双核、英特尔酷睿2四核处理器以及英特尔至强系列多核处理器的数以亿计的45纳米晶体管或微小开关中用来构建绝缘“墙”和开关“门”，研发代码Penryn。2010年11月，NVIDIA发布全新的GF110核心，含30亿个晶体管，采用先进的40纳米工艺制造。2011年05月05 日：英特尔成功开发世界首个3D晶体管，称为tri-Gate。除了英特尔将3D晶体管应用于22纳米工艺之后，三星，GlobalFoundries，台积电和台联电都计划将类似于Intel的3D晶体管技术应用到14纳米节点上 [3]  。