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产品属性
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UM5K1N介绍:
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 停產
FET 类型 2 N 沟道(双)共源
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 8 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13pF @ 5V
功率 - 最大值 150mW
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
供应商器件封装 UMT5
基本零件编号 *K1
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philips)、
海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、
台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;
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MOSFET里的氧化层位于其通道上方,依照其操作电压的不同,这层 氧化物的厚度仅有数十至数百埃(Å)不等,通常材料是二氧化硅(silicon dioxide,SiO2),不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅(silicon oxynitride,SiON)做为氧化层之用。
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晶体管
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30V