晶体管 UM5K1N MOSFET

地区:广东 深圳
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UM5K1N介绍:

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

制造商 Rohm Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 停產

FET 类型 2 N 沟道(双)共源

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 8 欧姆 @ 10mA,4V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) -

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13pF @ 5V

功率 - 最大值 150mW

工作温度 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

供应商器件封装 UMT5

基本零件编号 *K1

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


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MOSFET里的氧化层位于其通道上方,依照其操作电压的不同,这层 氧化物的厚度仅有数十至数百埃(Å)不等,通常材料是二氧化硅(silicon dioxide,SiO2),不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅(silicon oxynitride,SiON)做为氧化层之用。



系列

-

类别

晶体管

产品族

-

电压

30V