晶体管IXTN79N20 FET

IXTN79N20介绍：

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 IXYS

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 85A（Tc）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 20mA

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 400W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） -

工作温度 -

安装类型 底座安装

供应商器件封装 SOT-227B

封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philips)、

海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

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晶体管的发明，最早可以追溯到1929年，当时工程师利莲费尔德就已经取得一种晶体管的专利。但是，限于当时的技术水平，制造这种器件的材料达不到足够的纯度，而使这种晶体管无法制造出来。