晶体管 FDP120N10 FET

FDP120N10介绍：

类别 分立半导体产品

晶体管- FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 74A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 86nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5605pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 170W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 12 毫欧 @ 74A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220-3

封装/外壳 TO-220-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philips)、

海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

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晶体管在当今社会的重要性，主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程，进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。