晶体管IRFB7434PBF FET

地区:广东 深圳
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IRFB7434PBF介绍:

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®,StrongIRFET™

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 195A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 324nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10820pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 294W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.6 毫欧 @ 100A,10V

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philips)、

海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;


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场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.



系列

\tHEXFET®,StrongIRFET™

类别

晶体管

产品族

-

电压

\t6V,10V