存储器MT41J64M16JT-187E:G DRAM

MT41J64M16JT-187E:G介绍：

类别 集成电路（IC）

存储器

制造商 Micron Technology Inc.

系列 -

包装 ? 托盘 ?

零件状态 停產

存储器类型 易失

存储器格式 DRAM

技术 SDRAM - DDR3

存储容量 1Gb （64M x 16）

时钟频率 533MHz

写周期时间 - 字，页 -

存储器接口 并联

电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V

工作温度 0°C ~ 95°C（TC）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 96-TFBGA

供应商器件封装 96-FBGA（8x14）

基本零件编号 MT41J64M16

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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DRAM的结构可谓是简单高效，每一个bit只需要一个 晶体管另加一个电容。但是电容不可避免的存在漏电现象，如果电荷不足会导致数据出错，因此电容必须被周期性的 刷新（预充电），这也是DRAM的一大特点。而且电容的充放电需要一个过程，刷新频率不可能无限提升（频障），这就导致DRAM的频率很容易达到上限，即便有先进工艺的支持也收效甚微。