存储器MT41J64M16JT-125E:G DRAM

MT41J64M16JT-125E:G介绍：

类别 集成电路（IC）

存储器

制造商 Micron Technology Inc.

系列 -

包装 ? 托盘 ?

零件状态 停產

存储器类型 易失

存储器格式 DRAM

技术 SDRAM - DDR3

存储容量 1Gb （64M x 16）

时钟频率 800MHz

写周期时间 - 字，页 -

存储器接口 并联

电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V

工作温度 0°C ~ 95°C（TC）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 96-TFBGA

供应商器件封装 96-FBGA（8x14）

基本零件编号 MT41J64M16

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。