异步 CY62256NLL-70PXC 存储器

CY62256NLL-70PXC介绍；

描述 IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 10 周

详细描述 SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 70ns 28-DIP

类别 集成电路（IC）

存储器

制造商 Cypress Semiconductor Corp

系列 MoBL®

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

存储器类型 易失

存储器格式 SRAM

技术 SRAM - 异步

存储容量 256Kb （32K x 8）

写周期时间 - 字，页 70ns

访问时间 70ns

存储器接口 并联

电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V

工作温度 0°C ~ 70°C（TA）

安装类型 通孔

封装/外壳 28-DIP（0.600"，15.24mm）

供应商器件封装 28-DIP

基本零件编号 CY62256

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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对于现场可编程门阵列(FPGA）或片上系统(SoC)，人们使用存储器来存储配置信息。这种存储器必须是非易失性EPROM、EEPROM或闪存。大多数情况下，FPGA采用SPI接口，但一些较老的器件仍采用FPGA串行接口。串行EEPROM或闪存器件最为常用，EPROM用得较少。