SDRAM MT41J128M16JT-125:K TR 存储器

MT41J128M16JT-125:K TR介绍；

描述 IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96FBGA

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）

详细描述 SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 800MHz 13.75ns 96-FBGA（8x14）

类别 集成电路（IC）

存储器

制造商 Micron Technology Inc.

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

存储器类型 易失

存储器格式 DRAM

技术 SDRAM - DDR3

存储容量 2Gb （128M x 16）

时钟频率 800MHz

写周期时间 - 字，页 -

访问时间 13.75ns

存储器接口 并联

电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V

工作温度 0°C ~ 95°C（TC）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 96-TFBGA

供应商器件封装 96-FBGA（8x14）

基本零件编号 MT41J128M16

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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按照与CPU的接近程度，存储器分为内存储器与外存储器，简称内存与外存。内存储器又常称为主存储器（简称主存），属于主机的组成部分；外存储器又常称为辅助存储器（简称辅存），属于外部设备。CPU不能像访问内存那样，直接访问外存，外存要与CPU或I/O设备进行数据传输，必须通过内存进行。在80386以上的高档微机中，还配置了高速缓冲存储器（cache），这时内存包括主存与高速缓存两部分。对于低档微机，主存即为内存。