MOSFET-单 IRFB7540PBF 晶体管-FET

IRFB7540PBF介绍；

描述 MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 26 周

详细描述 通孔 N 沟道 60V 110A（Tc） 160W（Tc） TO-220

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®，StrongIRFET™

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 110A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 130nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4555pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 160W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 5.1 毫欧 @ 65A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220

封装/外壳 TO-220-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随耦器），严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。